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SOP-8

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些微功率mos不论采用先进地 沟槽技术;没有的RDS和没有栅极电位;有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强

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些微功率mos不论适用开关电源、输入高阻抗的电子电路中

些微功率mos不论的栅极G和根源极S中是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和根源极S中平等是一个电容存在,电压VGS发生电场从而导致源极-漏极电流的发生。

产品分类 型号(Type) Polarity VDS VGS IDS PD RDS(10V) RDS(4.5V) RDS(2.5V) RDS(1.8V) RDS(1.5V) REPLACEMENT TYPE PDF下载
(V) V (A) (W) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ
些微功率mos不论Dual-P SOP-8 HOS4801 Dual-P -30 12 -5 2 48 57 80 - - 4801 blob.png
HOS4803 Dual-P -30 20 -5 2 52 87 - - - 4803 blob.png
HOS4953 Dual-P 30 20 4.9 2 48 73 - - - 4953 blob.png